型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: MOS管描述: N沟道功率MOSFET n-Channel Power MOSFET31865+￥3.969025+￥3.675050+￥3.4692100+￥3.3810500+￥3.32222500+￥3.24875000+￥3.219310000+￥3.1752 -
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品类: MOS管描述: N-CH 100V 9.3A20975+￥5.197525+￥4.812550+￥4.5430100+￥4.4275500+￥4.35052500+￥4.25435000+￥4.215810000+￥4.1580 -
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品类: MOS管描述: IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40V OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能60235+￥1.849525+￥1.712550+￥1.6166100+￥1.5755500+￥1.54812500+￥1.51395000+￥1.500210000+￥1.4796 -
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品类: MOS管描述: 双路场效应管, MOSFET, N和P, 5.1 A, 20 V, 0.041 ohm, 4.5 V, 1.1 V21015+￥4.576525+￥4.237550+￥4.0002100+￥3.8985500+￥3.83072500+￥3.74605000+￥3.712110000+￥3.6612 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSZ165N04NS G 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 40 V, 13.8 mohm, 10 V, 2 V82575+￥3.631525+￥3.362550+￥3.1742100+￥3.0935500+￥3.03972500+￥2.97255000+￥2.945610000+￥2.9052 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET **Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能57775+￥2.268025+￥2.100050+￥1.9824100+￥1.9320500+￥1.89842500+￥1.85645000+￥1.839610000+￥1.8144 -
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品类: MOS管描述: IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40V OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能50455+￥3.091525+￥2.862550+￥2.7022100+￥2.6335500+￥2.58772500+￥2.53055000+￥2.507610000+￥2.4732
